MOSFET探测器再生方法研究及其在CT剂量检测中的应用

项目名称： MOSFET探测器再生方法研究及其在CT剂量检测中的应用

项目编号： No.81371710

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 医药、卫生

项目作者： 祁振宇

作者单位： 中山大学

项目金额： 70万元

中文摘要： 现有流行病学研究结果已经证明了CT辐射的潜在致癌性，因此如何监控CT受检者所受辐射照射是关系到生命健康的一个重要问题。在09年国自然基金资助下我们成功试制了一种适用于高能辐射剂量检测的微型MOSFET探测器。但是目前此类探测器尚存在使用寿命短、对低剂量测量灵敏度偏低的固有缺陷，阻碍了其在诊断CT中的应用。本研究拟在前期工作的基础上进一步探讨MOSFET探测器"再生"的方法，通过对再生条件和再生参数的筛选形成一种实用技术，使达到使用寿命的MOSFET探测器阈值电压恢复到辐照前的状态，实现其可重复使用性，从而克服探测器使用寿命短的瓶颈。同时通过改进栅极偏置电路设计，提高现有微型MOSFET探测器的灵敏度，使其适用于低剂量CT辐射测量，解决CT检查缺乏辐射监测工具的现状。本研究有望为临床CT扫描中个体化辐射剂量测试与评价提供一种可靠的技术手段，填补我国在这一研究领域的空白。

中文关键词： MOSFET；电流退火；再生技术；CT辐射；

英文摘要： There is direct evidence from epidemiologic studies that the radiation exposures corresponding to a common CT study result in an increased risk of cancer. As a result, it has become a top priority to understand how much radiation dose medical imaging deli

英文关键词： MOSFET；pulsed current annealing；resue；CT dosimetry；