多层ZrO2纳米晶基电荷陷阱存储器件的存储特性研究

项目名称： 多层ZrO2纳米晶基电荷陷阱存储器件的存储特性研究

项目编号： No.51402004

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 汤振杰

作者单位： 安阳师范学院

项目金额： 25万元

中文摘要： 为了解决传统电荷陷阱存储器件小型化过程中遇到的物理和材料问题，本项目提出利用多层高介电常数材料(ZrO2)x(SiO2)1-x作为电荷存储层，借助脉冲激光沉积和原子层沉积系统，制备基于多层ZrO2纳米晶的电荷陷阱存储器件。通过高温退火处理，使存储层发生相分离反应，析出ZrO2纳米晶，形成非晶基体包裹ZrO2纳米晶的多层电荷陷阱存储结构。揭示ZrO2纳米晶的尺寸和空间分布密度对器件的电荷陷阱密度、存储窗口、写入/擦除速度、数据保持能力和抗疲劳性能等存储特性的调控规律；根据组分配比变化对器件能带排列和存储特性的影响规律，探索各介质层之间晶粒尺寸及分布密度的匹配问题；考察环境温度与器件数据保持能力等存储特性之间的关联，阐明电荷存储及损失机制；筛选出几种存储特性优异、具有特殊组分配比的(ZrO2)x(SiO2)1-x介质材料，为电荷陷阱存储器件领域的材料选取和参数优化设计提供科学依据。

中文关键词： 电荷陷阱存储器；多层ZrO2 纳米晶；存储特性；电荷损失机制；

英文摘要： In order to solve the physical and materials problems of conventional charge trap flash memory in the process of miniaturization, the project proposes that a novel charge trap memory using multilayer high dielectric constant (ZrO2)x(SiO2)1-x as charge tra

英文关键词： Charge trap memory；Multilayer ZrO2 nanocrystallites；Storage characteristics；Charge loss mechanism；