基于电子束共蒸发法制备高K介质层中的硅纳米晶的物性及存储器应用研究

项目名称： 基于电子束共蒸发法制备高K介质层中的硅纳米晶的物性及存储器应用研究

项目编号： No.51172268

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 无机非金属材料学科

项目作者： 陈晨

作者单位： 中国科学院微电子研究所

项目金额： 60万元

中文摘要： 硅基纳米晶材料是当今纳米领域的研究热点，在半导体非挥发存储器以及未来的硅基光电应用领域产生了深远的影响。硅纳米晶应用于半导体存储器领域是目前最为活跃的研究方向之一。然而，如何在高介电常数材料中制备高密度的硅纳米晶，这种高介电常数材料对硅纳米晶的生长和物性的影响，以及硅纳米晶的物性与存储器的存储特性相互影响的物理机理还缺乏系统的研究，但这却是硅纳米晶材料在存储器应用领域最关键的环节。本项目拟建立硅纳米晶在高介电常数介质中的物性与存储特性的物理模型；研究硅纳米晶的生长机理及其对光学特性的影响；深入研究高介电常数介质中硅纳米晶的电荷存储机理等。最终分析内在规律，提高纳米晶浮栅存储器的存储特性。工艺上，创新的研发了电子束共蒸发法在高介电常数介质中制备高密度叠层硅纳米晶。本项目研究成果对提高纳米晶浮栅非挥发存储器的存储特性具有重要意义。

中文关键词： 纳米晶；高介电常数介质；非挥发；存储器；滞回特性

英文摘要：

英文关键词： Nanocrystal；High-k dielectric；Non-volatile；NVM；CV hysterisis