电荷俘获存储器件的总剂量辐射效应机制研究

项目名称： 电荷俘获存储器件的总剂量辐射效应机制研究

项目编号： No.61404168

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 靳磊

作者单位： 中国科学院微电子研究所

项目金额： 25万元

中文摘要： 电荷俘获存储器件(CTM)被认为是最具潜力替代浮栅器件的非挥发性存储器件。尽管CTM器件已展现出抗辐射应用潜力，但其在总剂量辐射下的电荷损失及缺陷形成物理机制尚缺乏研究。 本项目将研究器件级在线辐照测试技术，研究SONOS，TANOS等CTM器件在总剂量辐射下的失效规律。在此基础上，以辐射引起的电荷损失机制和缺陷产生机制为重点，开展CTM器件的辐射效应物理机制研究。目标是建立CTM器件总剂量辐射效应物理模型，为该类型存储器件的较高辐射环境应用和抗辐射优化提供理论基础。 研究主要内容包括： 1) 辐照中器件级在线测量表征方法的研究 2) 总剂量辐射下CTM器件电荷损失物理机制的研究 3) 总剂量辐射下CTM器件特性退化和缺陷形成机制的研究 4) 器件结构和工艺条件对CTM器件辐射效应的影响及其优化

中文关键词： 闪存；存储器；器件；可靠性；辐射

英文摘要： The charge trapping memory (CTM) is considered to be the most promising alternative to floating gate memory device, due to its high reliability and advantage in 3D integration. Although CTM devices have demonstrated good resistance to radiation, the p

英文关键词： Flash；Memory；Device；Reliability；Radiation