集成电路45nm ESD全芯片解决方案和22nm/20nm FinFET ESD基础研究

项目名称： 集成电路45nm ESD全芯片解决方案和22nm/20nm FinFET ESD基础研究

项目编号： No.61404068

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 蔡小五

作者单位： 辽宁大学

项目金额： 24万元

中文摘要： IC行业正按照摩尔定律飞速发展，CMOS集成电路制造技术已发展到纳米级(65nm以下)，ESD的问题更加突出，纳米级集成电路ESD难点主要体现在：ESD设计窗口变小、Snapback器件工艺复杂仿真难度高、多电压问题、多模块组合ESD问题、新工艺（High K技术、Metal Gate、Strained Silicon等）对ESD的影响、纳米工艺中金属布线的影响等。为解决这些问题，本课题主要研究45nm ESD全芯片解决方案，同时开展22nm/20nm FinFET ESD 基础研究。本课题主要研究内容包括ESD器件TCAD 模拟研究、CDM薄栅氧化层保护问题研究、ESD全芯片保护方案研究、适用于纳米级集成电路（45nm、22/20nm）的Power Clamp 研究、22nm/20nm FinFET ESD保护器件特性研究等。本课题研究以应用基础研究为主，研究成果力求能在FAB使用。

中文关键词： ESD；纳米器件；Power Clamp；TLP；HBM

英文摘要： The IC industry is developing quickly according to the Moore law, and the ESD issue is very urgent when it comes to nanometer scale IC (65nm). The difficulty in nanometer scale IC ESD includes the following items: ESD design window shrinking, simulation

英文关键词： ESD；nano-scale devices；Power Clamp；TLP；HBM