高电子迁移率晶体管毫米波建模和可靠性研究

项目名称： 高电子迁移率晶体管毫米波建模和可靠性研究

项目编号： No.61176036

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 高建军

作者单位： 华东师范大学

项目金额： 65万元

中文摘要： 本项目拟针对微波射频高电子迁移率晶体管（HEMT）器件毫米波频段建模技术可靠性技术开展研究，提出将传统等效电路建模技术、物理器件建模技术和微波射频测量技术相结合的建模技术，解决参数提取的唯一性问题和获得符合器件物理含义的模型参数，研究相应的毫米波频段半导体器件的可靠性，预测器件在直流和射频情况非正常激励下的失效机理和模型参数的变化情况。该项目研究属于微电子和微波射频测试技术的交叉研究领域，在保留单独电路建模技术和物理器件建模技术优势的基础上，建立具有反映器件物理模型、仿真速度快、精度高的能够全面反映器件信号噪声特性的HEMT模型，建立器件可靠性失效模型。在研究微波射频特性测试技术的基础上，提供可以直接控制测试仪器的参数提取软件。

中文关键词： 高电子迁移率晶体管；建模技术；毫米波测试；可靠性；

英文摘要：

英文关键词： HEMT；modeling；milimeter measurement；reliability；