缺陷、深能级陷阱与CaCu3Ti4O12巨介电常数之间的关系

项目名称： 缺陷、深能级陷阱与CaCu3Ti4O12巨介电常数之间的关系

项目编号： No.11174073

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 物理学I

项目作者： 杨昌平

作者单位： 湖北大学

项目金额： 75万元

中文摘要： CaCu3Ti4O12因具有介电常数大，使用频率宽，温度稳定性好，并在常规条件下只需一步烧结即可合成等优点成为当前巨介电材料的研究热点。由于界面问题的复杂性和研究手段的局限性，目前在其巨介电常数的起源上还存在争议。本项目中，我们将利用"电循环处理"和"交流四线法"等小组新发现的样品处理和测量方法，以近期在CaCu3Ti4O12陶瓷中观察到的界面弛豫新现象和新效应为基础，采用包括复阻抗谱、C - V、热激电容、热激电流、深能级瞬态谱和第一性原理计算等多种测量和计算方法研究深、浅能级缺陷对其介电性质的影响，区分电极接触界面和样品内部界面对CaCu3Ti4O12陶瓷介电常数的贡献，建立界面能带模型对CaCu3Ti4O12的介电特性做出理论解释。该研究将从缺陷、深能级陷阱等新角度对CaCu3Ti4O12的介电性质做出较为系统、深入的研究，为CaCu3Ti4O12陶瓷巨介电常数的起源提供新的线索。

中文关键词： CaCu3Ti4O12；巨介电常数；深能级陷阱态；氧空位；第一性原理计算

英文摘要：

英文关键词： CaCu3Ti4O12；Giant dielectrical constant；deep level trap state；oxygen vacancy；first principle calculation