3d过渡金属掺杂氮化铜薄膜的制备、性能及应用研究

项目名称： 3d过渡金属掺杂氮化铜薄膜的制备、性能及应用研究

项目编号： No.51172110

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 李兴鳌

作者单位： 南京邮电大学

项目金额： 65万元

中文摘要： 氮化铜是一种具有较低热分解温度、较高电阻率、对红外和可见光的反射率分解前后有明显差别的材料,可用于光存储器件和集成电路中,近年来受到广泛重视。由于氮化铜晶体中的铜原子未占据(111)面的密堆积位置而具有体心空位，通过在其体心空位中填充其它原子,可实现对材料的性能的有效调变。目前关于该方面的研究主要集中在掺杂的实现，对性能的针对性调变还少见报道，尤其对磁性能的调变还未进行。本项目选取与铜属同一周期，且具有奇数个3d电子的过渡金属-钒、锰、钴，采用磁控双靶反应共溅射镀膜法，制备掺杂的氮化铜薄膜。通过与具有偶数个3d电子的过渡金属进行掺杂结构、含量和热、电、磁性能调变的实验和理论比较，探寻这种占位与掺杂原子结构、价层电子数及晶体中s、p-d电子交换作用的关系；重点研究磁性原子占位掺杂实现对薄膜磁性能的调变，得到具有磁性能的掺杂氮化铜系列半导体薄膜，并探索这种薄膜在存储、太阳能光伏等领域的应用。

中文关键词： 氮化铜薄膜；过渡金属；磁控溅射；第一性原理；

英文摘要：

英文关键词： Copper nitride；Transition metals；Magnetron sputtering ；First principles ；