氮化镓MOCVD生长中的气相寄生反应研究

项目名称： 氮化镓MOCVD生长中的气相寄生反应研究

项目编号： No.61176009

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 左然

作者单位： 江苏大学

项目金额： 61万元

中文摘要： 在氮化镓薄膜MOCVD生长中，存在严重的气相寄生反应，不仅对薄膜沉积所需的反应前体造成浪费，而且使薄膜厚度和组分的均匀性严重依赖生长温度、压强、反应器形状等参数，造成生长控制困难，薄膜质量下降。优化气相反应路径，抑制寄生反应，对于提高薄膜质量和生长效率至关重要。本课题将在总结已有的关于温度、压强、浓度等操作参数影响的基础上，重点研究MOCVD反应器几何参数对GaN生长反应路径的影响。将针对典型的MOCVD反应器的进口段、混合段、生长区，计算不同位置的气体驻留时间和反应速率，并结合计算机数值模拟，确定反应路径与反应器几何参数的关系。同时针对模拟真实MOCVD过程的"流动管反应器"进行紫外吸收光谱测量和粉末沉积化学分析，来对照和修正理论预测。研究结果将加深对GaN生长机理的认识，实现对GaN薄膜生长过程的优化。

中文关键词： GaN；MOCVD；气相反应路径；寄生反应；数值模拟

英文摘要：

英文关键词： GaN；MOCVD；gas reaction path；parasitic reaction；numerical modeling