双栅锗基肖特基源漏MOSFET器件的研究

项目名称： 双栅锗基肖特基源漏MOSFET器件的研究

项目编号： No.60976062

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 孙雷

作者单位： 北京大学

项目金额： 32万元

中文摘要： 高迁移率锗基MOS器件是当前电子器件研究中的热点，锗基肖特基源漏MOSFET器件是锗基MOS器件的重要发展方向。本课题将围绕双栅锗基高迁移率肖特基源漏MOSFET器件的工艺制备、特性分析以及锗基器件载流子输运机理展开研究工作。课题主要研究内容包括：（1）建立锗基器件的模拟平台，研究双栅锗基MOSFET器件的工作特性，根据模拟结果对器件诸参数进行优化设计；（2）研究锗基上高k栅介质/金属栅极的制备工艺；（3）研究应用于器件源漏的金属锗化物的制备工艺；（4）在锗衬底上应用高k栅介质/金属栅/源漏锗化物技术，制备出高迁移率的平面和双栅结构的锗基肖特基源漏MOS器件。预期研究成果包括：（1）建立起可描述锗基肖特基器件特性的模拟平台；（2）形成锗衬底上生长高k材料和硅化物栅的可行工艺；（3）制备出热稳定的金属锗化物材料；（4）研制出高迁移率的平面和双栅结构锗基肖特基MOS器件。

中文关键词： 锗基；MOSFET；锗化物；High-K；

英文摘要：

英文关键词： Ge-based；MOSFET；Germanide；High-K；