基于原位TEM开展28nm及以下节点内相变存储器电子激发擦写的探索研究

项目名称： 基于原位TEM开展28nm及以下节点内相变存储器电子激发擦写的探索研究

项目编号： No.61376083

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 王晓峰

作者单位： 中国科学院微电子研究所

项目金额： 90万元

中文摘要： 相变存储器作为下一代存储器的候选者之一受到了业界越来越多的关注。当前相变存储器已经进入38nm节点。相变存储器仍面临两个问题，第一是过大的RESET电流；第二是擦写失效。本项目拟利用器件级原位TEM表征方法，结合28nm及以下节点的要求，探索研究一种新的相变存储器擦写方法-电子激发方法。与传统的电流产生居里热从而导致相变不同，电子激发方法是基于外界的激发产生非平衡电子，非平衡电子的存在可以弱化原子键并导致相变。电子激发方法的突出优点是：速度快-理论值为皮秒甚至飞秒；有效降低熔点从而功耗低；可靠性好等等，从而有望有效解决当前相变存储器所面临的两大问题。同时该研究还有望发现一些纳米尺度相变材料的新型相变物理机制。

中文关键词： 相变存储器；自对准；纳米尺度；激光开槽；激光退火

英文摘要： PCRAM is one of the promisiong canditates for next generation Non-volatile memory appliction. However, there are still two problems for PCRAM to replace floating-gate devices. One is large RESET current which is used to set phase change materials from cry

英文关键词： PCRAM；Self-alignment；nano-meter scale；laser scribing；laser annealing