氧化物基电阻存储器电阻开关特性的离子掺杂调控研究

项目名称： 氧化物基电阻存储器电阻开关特性的离子掺杂调控研究

项目编号： No.60906040

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 刘力锋

作者单位： 北京大学

项目金额： 22万元

中文摘要： 电阻式非挥发存储器（RRAM）是新一代非挥发存储器的主要候选技术之一。RRAM目前面临的主要问题是RRAM器件电阻开关的稳定性和可靠性不理想，难以满足器件应用的需求，同时对RRAM电阻开关特性的物理机制缺乏深刻的理解。本项目在已有的研究基础上，以提高氧化物基RRAM的电阻开关性能为目标，利用理论计算和实验验证相结合的手段，研究探索利用离子掺杂的方法改善和提高氧化物基RRAM电阻开关性能的技术途径。将利用第一性原理计算的方法从理论上分析氧化物中离子的掺杂效应以及各种离子掺杂对氧空位行为的影响。基于理论计算结果，在实验上研究金属离子掺杂对氧化物基RRAM电阻开关性能的影响及规律，探索改善和提高氧化物基RRAM电阻开关性能的合适掺杂技术和方法。同时深入研究掺杂氧化物薄膜电阻开关和输运特性的物理机制，建立具有一定普适性的掺杂氧化物基RRAM电阻开关和输运的物理模型。

中文关键词： 电阻存储器；氧化物；离子掺杂；阻变开关特性；

英文摘要：

英文关键词： resistive memory；oxide；ion doping；resistive switching；