有机浮栅薄膜晶体管存储器的研制

项目名称： 有机浮栅薄膜晶体管存储器的研制

项目编号： No.61177028

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 王伟

作者单位： 吉林大学

项目金额： 72万元

中文摘要： 有机浮栅薄膜晶体管（FG－OTFT）存储器具有工艺简单、成本低，可大面积制备、非破坏性读出与非易失性存储等诸多优点，应用前景广。目前，FG－OTFT存储器的研究在国际上刚刚起步，与无机同类器件相比，其存在编程（P）/擦除（E）电压高、电荷存储保持时间短等缺点。本项目以FG－OTFT存储器的研制及全面提高器件的存储性能为研究内容，重点是降低存储器的P/E电压及延长电荷存储保持时间。为此提出以下创新点：提出金属自发氧化技术同时制备纳米粒子浮栅和势垒层；构建浮栅/势垒层/有源层能级体系；提出双极载流子注入模式的FG-OTFT存储器。对比实验数据，分析器件工作的物理机理，构建合理的物理模型，并以此模型反馈指导FG－OTFT存储器的实验研制。预期研究成果：FG－OTFT存储器P/E电压小于10V，存储电流比大于5000，电荷存储保持时间达1年。

中文关键词： 有机浮栅薄膜晶体管存储器；纳米浮栅；P/E电压；存储保持时间；

英文摘要：

英文关键词： organic floating-gate thin-film transistor memory；nanoparticles floating-gate；P/E voltagge；memory retention time；