隧穿场效应晶体管在存储器应用中的探索与研究

项目名称： 隧穿场效应晶体管在存储器应用中的探索与研究

项目编号： No.61176074

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 王鹏飞

作者单位： 复旦大学

项目金额： 50万元

中文摘要： 隧穿场效应晶体管（Tunneling-FET, TFET）是目前国际上研究比较热门的器件。该器件的室温亚阈值摆幅在理论上可以小于60mV/dec，其漏电流也因为其反偏二极管的基本结构也可以比MOSFET小至少一个数量级。然而，TFET的驱动电流非常小，通常硅基TFET的驱动电流在1微安/微米左右，比MOSFET小3个数量级。可以说，TFET在逻辑电路中的应用前景尚不明朗。因此，在本课题中，我们将探索TFET在存储器中的应用。我们利用TFET器件结构的p-i-n结构的特点，将其用作存储器器件的access器件。通过适当的设计，TFET器件p-i-n二极管正偏的大电流和反偏时小驱动电流的特点都被合理地利用起来，从而实现了一种新型的基于TFET的存储器器件。由于这种器件是国际上首次出现，所以需要进行基础的器件研究。研究的内容包括器件原理、改进、原型制备、电学测量、测试芯片制备等一系列工作。

中文关键词： 隧穿场效应晶体管；半浮栅晶体管；存储器；新器件；

英文摘要：

英文关键词： TFET；SFGT；memory；novel transistor；