日盲紫外GaN基探测器集成技术基础研究

项目名称： 日盲紫外GaN基探测器集成技术基础研究

项目编号： No.61204134

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 信息四处

项目作者： 王玲

作者单位： 中国科学院上海技术物理研究所

项目金额： 23万元

中文摘要： GaN基材料以其稳定的物理和化学性能,以及在3.4 eV到6.2 eV之间的连续可调的禁带宽度,使得他在诞生之初就引起广泛地关注,并用于制备诸如激光器、LED、晶体管以及探测器等各种器件。随着紫外探测技术的进步及广泛应用，集成化的紫外探测器阵列成为当前发展趋势。然而，采用传统的集成技术制备高响应率以及规模化的紫外传感器阵列存在巨大的挑战。本项目旨在通过研究GaN基探测器集成技术，将GaN紫外探测器与带有增益的GaN晶体管集成在同一GaN基材料上，以解决目前在焦平面阵列探测器发展中的瓶颈问题。本项目的实施将不仅发展GaN基探测器新的集成技术，而且将促进紫外探测器阵列（特别是焦平面阵列器件）的实用化及产业化。

中文关键词： 日盲紫外；GaN基材料；集成技术；有源器件；

英文摘要： Nowadays, GaN material is attracking people's much attention for its perfect physical,chemical perperties and especially due to its adjustable forbidden bandwidth from 3.4 eV to 6.2 eV. As the fabrication technology develops,variety of GaN-based devices,

英文关键词： solar ultraviolet；GaN-based material；integrated technology；active device；