项目名称: 单层石墨烯的硼、氮掺杂研究
项目编号: No.20973195
项目类型: 面上项目
立项/批准年度: 2010
项目学科: 数理科学和化学
项目作者: 王文龙
作者单位: 中国科学院物理研究所
项目金额: 35万元
中文摘要: 石墨烯是第一个被发现的单原子层二维晶体材料,具有重要的基础研究价值与应用前景。石墨烯的载流子迁移率是已知材料中最高的,并且受温度的影响很小,这使得石墨烯非常有望成为构筑下一代纳电子器件的基础材料,但是必须首先解决一个根本性难题:对石墨烯进行能带调控,使其由"零带隙半导体"(或称半金属)转变为具有一定带隙的真正"半导体"。本项目的研究内容便是围绕这一科学问题而展开,旨在通过化学途径来对石墨烯进行B、N掺杂,从而实现对石墨烯能带结构的系统调控。B、N掺杂石墨烯的合成研究将基于"取代反应法"与"直接合成法"这两条基本思路来进行,在合成研究的同时还将系统的表征与研究掺杂石墨烯的结构(缺陷与边界等)、成分与原子键合特征、表面电子结构、能带结构与发光性质等。在材料合成的基础上将进一步制作场效应晶体管(FET)原型器件,研究掺杂石墨烯的电输运性质,为实现石墨烯真正意义上的"器件化"提供原创性的实验依据。
中文关键词: 石墨烯;硼氮掺杂;控制合成;;电子结构调控;自旋极化
英文摘要:
英文关键词: Graphene;boron and nitrogen doping;controlled synthesis;electronic structure tuning;spin polarization