基于铟镓氮量子点的宽光谱及可调谐发光器件

项目名称： 基于铟镓氮量子点的宽光谱及可调谐发光器件

项目编号： No.61404134

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 姬小利

作者单位： 中国科学院半导体研究所

项目金额： 26万元

中文摘要： 量子点由于独特的态密度分布和能级填充效应而具有宽光谱发光特性。以InGaN量子点代替量子阱有源区，能够展宽红绿蓝（RGB）三基色发光二极管（LED）的发光光谱，是提高RGB白光光源显色指数的一条有效途径。本项目从研究InGaN量子点的生长机制入手，研究其发光光谱调控，进而制备基于InGaN量子点的宽光谱RGB LED，获得高显色性并适合智能调控的白光照明光源。此外，制备低In组分的InGaN量子点，借助量子点的强量子限制效应，代替AlGaN作为有源介质实现紫外发射，提高紫外发光器件的发光效率。结合光学微腔的选频特性，在InGaN量子点紫外LED中加入由AlGaN/空气隙和铝反射镜组成的谐振腔，制备具有宽光谱调谐范围的紫外共振腔LED。本项目为提高RGB LED显色性、提高紫外LED发光效率和实现宽光谱调谐范围提供了新的研究思路和解决方案。

中文关键词： 铟镓氮；量子点；能级填充效应；宽光谱；光谱调控

英文摘要： Quantum dots have the potential to realize wide-spectrum light-emitting owing to the unique state-density distribution and the energy-level filling effect. It is an effective approach to broaden the spectrum of red, green and blue (RGB) light-emitting dio

英文关键词： InGaN；quantum dots；state-filling effect；broadband；spectral-tunning