适应纳米尺度CMOS集成电路DFM的ULTRA模型完善和偏差模拟技术研究

项目名称： 适应纳米尺度CMOS集成电路DFM的ULTRA模型完善和偏差模拟技术研究

项目编号： No.60976066

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 何进

作者单位： 北京大学

项目金额： 41万元

中文摘要： 纳米尺度CMOS集成电路可制造性设计（Desing for Manufacturability, DFM）依赖CMOS模型和反映工艺偏差特征和规律的技术，以及将二者有效连接的模拟方法。我们提出"适应纳米尺度CMOS集成电路DFM的ULTRA模型完善和偏差模拟技术研究"项目, 争取2到3年在纳米电路DFM用新一代CMOS模型功能完善和工艺偏差表征和模拟技术上有突破性进展：完善ULTRA模型对非均匀掺杂，高K栅结构,应力效应的模拟；建立统一QS/NQS，RF/HF模型；研究工艺，版图和器件设计导致的空间几何变化，掺杂偏差模拟方法和模型模拟，建立对应统计模型；设计DFM测试结构，提出偏差参数提取方法和算法；研究ULTRA核心CMOS功能自恰集成偏差模拟技术方法；在ULTRA框架上完成从纳米工艺到电路DFM的CMOS模型和工艺偏差模块的快速验证，形成ULTRA模型框架的DFM模拟和计算平台。

中文关键词： CMOS器件物理；纳米尺度集成电路；偏差表征；SPICE模型；DFM模拟

英文摘要：

英文关键词： Device physics of CMOS；Nano-scale integrated circuit；Variation characterastics；SPICE model；DFM simulation