超低温器件参数提取的关键技术研究

项目名称： 超低温器件参数提取的关键技术研究

项目编号： No.10903024

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 机械、仪表工业

项目作者： 李斌

作者单位： 中国科学院上海天文台

项目金额： 23万元

中文摘要： 在20Kelvin到绝对零度的超低温环境下，部分半导体器件表现出极低噪声温度的电子学特性，因此作为核心部件被广泛应用于射电天文观测站和深空探测地面站的高灵敏度接收系统。目前，国外超低温环境下的半导体器件噪声温度已经达到1＋0.3K/GHz的水平，超低温器件参数提取设备与技术研究正朝高频段、高精度、多功能、自动化的方向发展。国内在这一领域内的研究相对落后，主要困难集中在无法进行超低温半导体器件筛选，无法获得精确器件电子学参数，无法为电路设计和电路仿真提供依据。本项目旨在建立20Kelvin超低温测试平台，开展超低温半导体器件电子学参数提取关键技术研究，具体内容包括超低温S参数提取和超低温噪声参数提取，为我国自主研制国际先进的高灵敏度射电天文和深空探测设备提供科学可行的技术方法。

中文关键词： 低噪声放大器；开尔文；S参数；；

英文摘要：

英文关键词： LNA；Kelvin；S-parameter；；