半导体像素探测器读出ASIC的设计及性能研究

项目名称： 半导体像素探测器读出ASIC的设计及性能研究

项目编号： No.11235013

项目类型： 重点项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 王铮

作者单位： 中国科学院高能物理研究所

项目金额： 320万元

中文摘要： 随着人类对物质探索的不断深入，高能物理和粒子物理对探测器的性能要求越来越高。半导体像素探测器以其良好的能量分辨率、噪声水平、高计数率工作能力以及较低的物质量，广泛用于世界上各大高能物理实验中顶点探测器。在医学、天文观测等领域，半导体像素探测器也有广泛的应用前景。然而由于国内的设计水平和工艺限制，其中的关键技术- - 用于半导体像素探测器的高密度前端读出专用集成电路的研究还没有开展，在国内高能物理领域，半导体像素探测器的大规模应用还是空白。为满足今后国内高能物理实验的需要，为中国在国际高能物理领域继续保有一席之地，开展半导体像素探测器读出电路的研究可谓大势所趋。本项目的目标是研究像素读出芯片设计中的各项关键技术，在此基础上完成具有自主知识产权的像素探测器专用集成电路设计，完成像素探测器样机系统设计并进行全面测试，从而掌握像素读出芯片设计方法和关键技术，为半导体像素探测器的大规模应用打下基础。

中文关键词： 专用集成电路；像素探测器；过阈时间甄别；事例驱动；

英文摘要： As the exploring to the matter world steps deeper and further, the requirement of detector performances for High Energy Physics and Particle Physics is getting increasingly critical. Silicon pixel detectors has been widely used as vertex detectors in most

英文关键词： ASIC；Pixel Detector；Time over Threshold；Data Driven；