锗及应变锗MOS器件高场迁移率的提高及相关散射机理研究

项目名称： 锗及应变锗MOS器件高场迁移率的提高及相关散射机理研究

项目编号： No.61376097

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 赵毅

作者单位： 浙江大学

项目金额： 81万元

中文摘要： 随着现代硅集成电路技术进入亚32nm时代，传统的技术发展模式已不能再有效地提高场效应晶体管器件以及电路的整体性能。一些新的技术已被提出，主要包括新沟道材料，应变技术和新器件结构。锗因其同时具有较高的电子和空穴迁移率作为新沟道材料而备受瞩目。然而，到目前为止国际上大部分锗 MOS器件的研究都集中在工艺优化上，尚未对其散射机理进行深入的研究。同时，虽然锗MOS器件的峰值迁移率已经获得较高的数值，但是在高电场下的迁移率仍然偏低。而在实际应用中，真正起作用的是高场下的迁移率。已有的研究表明，减小MOS界面粗糙度并不能很有效地提高Ge器件的高场迁移率，这其中的原因尚不清楚。此外，如何有效运用应变技术和新器件结构（GOI）提高Ge器件性能这一问题在器件物理理解上和实验验证上都尚未很好地被解决。本项目将结合应变技术和GOI新结构的应用对Ge MOS器件中高场载流子迁移率的提高和散射机理进行深入的研究。

中文关键词： Ge基MOS器件；迁移率；散射机理；反型层；

英文摘要： With the Si CMOS technology enters into sub-32nm nodes, the conventional device scaling could not enhance the device performance any more. Consequently, some new technology boosters have been proposed, mainly including new channel materials, the strain te

英文关键词： Ge MOSFETs；mobility；scattering mechanisms；inversion layers；