辐照及高电场应力诱发的AlGaN/GaN HEMT 器件退化机制与模型研究

项目名称： 辐照及高电场应力诱发的AlGaN/GaN HEMT 器件退化机制与模型研究

项目编号： No.61376076

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 胡仕刚

作者单位： 湖南科技大学

项目金额： 81万元

中文摘要： 得益于异质结结构，A1GaN/GaN HEMT成为当前最具发展潜力的射频、微波器件之一。A1GaN/GaN HEMT器件长时间工作在高偏置和空间辐射环境下，所以器件的可靠性问题值得关注。本项目对A1GaN/GaN HEMT高场电应力退化和辐照损伤进行深入而系统的研究。基于空间辐射环境下各种主要辐射粒子对GaN基半导体材料和HEMT器件的作用机制深入分析，采用多种辐射源系统地研究材料和器件的辐射损伤效应，得到AlGaN/GaN HEMT的主要辐射损伤机制并建立辐照损伤模型；在深入研究现有的几种高场退化模式基础上，提出一种高场退化的耦合效应模型；研究器件在直流和射频应力下的退化，得到高场损伤模型；借助仿真和实验方法，提出抗辐射加固和改善高场可靠性方案。项目的研究具有重大的科学意义，对于GaN 基微波功率器件商业化进程具有推动作用。

中文关键词： AlGaN/GaN HEMT；辐照损伤；高场退化；；

英文摘要： Benefit from the heterojunction structure, AIGaN/GaN HEMT (high electron mobility transistor)has become one of the most potential RF and microwave devices. A1GaN/GaN HEMT is usually applied under high voltage and radiation environment, so the reliability

英文关键词： AlGaN/GaN HEMT；radiation damage；high-electric-field degradation；；