高自旋极化率与低磁阻尼系数垂直磁性多层膜的研究

项目名称： 高自旋极化率与低磁阻尼系数垂直磁性多层膜的研究

项目编号： No.51171205

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 蔡建旺

作者单位： 中国科学院物理研究所

项目金额： 70万元

中文摘要： 垂直磁化薄膜具备纳米尺度磁结构稳定、高速磁化反转的本征属性，是构建未来高性能磁电子器件的理想对象，但所要求的高自旋极化率、低磁阻尼系数和高温度稳定性的垂直薄膜体系至今基本不存在。本项目将主要依靠人工微结构和界面控制，并通过具有自主知识产权的纳米氧化结构对薄膜垂直各向异性的影响，综合利用Ta的强非晶化能力及Ta、Pd对薄膜垂直各向异性、磁阻尼系数的不同影响力，发展具有高自旋极化率、低磁阻尼系数和高温度稳定性的CoFe、CoFeB基垂直多层膜体系，最终分别应用于垂直自旋阀和垂直磁隧道结，使它们的性能提升到一个新的高度，推进垂直磁电子材料的实用化进程；同时，深刻理解纳米氧化结构对垂直各向异性的增强效应与相关机制；明确磁阻尼系数对垂直各向异性、磁性层厚度的依赖关系，阐明界面效应与薄膜不完整性影响垂直薄膜磁阻尼系数的不同规律。

中文关键词： 垂直磁各向异性；界面各向异性；磁性多层膜；磁隧道结；磁电阻效应

英文摘要：

英文关键词： perpendicular magnetic anisotropy；interfacial anisotropy；magnetic multilayer film；magnetic tunnel junction；magnetoresistance