纳米MOS结构输运性质的第一性原理研究

项目名称： 纳米MOS结构输运性质的第一性原理研究

项目编号： No.11404273

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 王音

作者单位： 香港大学深圳研究院

项目金额： 25万元

中文摘要： 电子器件发展到纳米尺度后，传统的基于经验和经典理论的器件设计方法将面临诸多困难，人们必须发展无需任何参数的第一性原理方法来进行新兴电子器件设计。然而，用第一性原理方法设计含有成百上千个原子的器件，仍有许多基本的物理问题需要解决，比如：如何正确计算半导体的能带宽度和有效质量，如何正确计算半导体的杂质能级，如何正确计算半导体异质结的能带偏移和金属半导体结的肖特基势垒等。本项目将第一性原理电子器件设计的这些基本问题凝聚在最典型、最重要的MOS器件上，通过全面研究MOS器件的电子结构和输运性质，探索用第一性原理方法解决上述基本物理问题的途径，并最终实现对MOS器件的设计。本项目的研究对全面理解“第一性原理器件设计问题”有重要的基础性意义。

中文关键词： MOS结构；能带结构；量子输运；肖特基势垒；第一性原理

英文摘要： With the downscaling of nano electronics, the traditional device design method from empirical and classical theories are no longer reliable, therefore, people have to develop some parameter-free method to design emerging electronics from first principles.

英文关键词： MOS Structure；Band Structure；Quantum Transport；Schottky Barrier；First Principles