增强型ZnO/ZnMgO异质结高迁移率场效应晶体管研究

项目名称： 增强型ZnO/ZnMgO异质结高迁移率场效应晶体管研究

项目编号： No.61176018

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 张景文

作者单位： 西安交通大学

项目金额： 60万元

中文摘要： 本课题将探索一种基于ZnO/ZnMgO异质结二维电子气特性（2DEG），可用于高温、大功率、抗辐照微波功率器件的增强型高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）。研究在ZnO同质、半绝缘SiC单晶基底和外延极化GaN衬底上采用离子辅助激光分子束外延（RS-LMBE）生长高质量的极性可控的ZnO/ZnMgO异质结；研究其微结构、2DEG特性；优化不同缓冲层生长工艺；研究极化效应对其结构和电学性能的影响。实现ZnO单晶薄膜XRD半峰宽优于25弧秒，电子迁移率>300cm2/V.s ,方块电阻<300Ω/□。室温异质结2DEG密度大于10e13/cm2，迁移率>750cm2/V.s。采用的NH3等离子处理及快速退火的方法实现增强型ZnO基HEMT。研制出一种基于ZnO基异质结的增强型HEMT，跨导优于75mS/cm2。发表论文7篇，申报发明专利3项，为其进一步应用研究奠定基础。

中文关键词： ZnO/ZnMgO；异质结；二维电子气；迁移率；晶体管

英文摘要：

英文关键词： ZnO/ZnMgO；Heterojunction；Two dimensional electron gas；Mobility；Transistor