立方相GaN中自旋动力学的实验研究

项目名称： 立方相GaN中自旋动力学的实验研究

项目编号： No.11174338

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 刘宝利

作者单位： 中国科学院物理研究所

项目金额： 75万元

中文摘要： 在基于半导体的自旋电子学研究领域中，一直希望找到室温下长自旋寿命的材料。在GaAs基材料中，由于强的自旋轨道耦合，通常情况下，室温下自旋寿命在100ps左右。在宽禁带材料中，如六方相GaN、ZnO，虽然自旋轨道耦合比较弱，但是由于有很强的内建电场，自旋寿命在10ps量级。理论上预言，在立方相GaN中，由于和六方相GaN的结构不同，不存在内建电场，因而有非常长的自旋寿命，室温下在ns量级。目前，国际上刚刚开始这种材料自旋特性的研究，自旋的一些基本特性还不是清楚。本项目将利用时间分辨克尔旋转技术，详细研究研究这种材料的自旋动力学特性，包括电子g因子的精确测定，阐明立方GaN中自旋驰豫规律，为探索在自旋电子学方面的潜在应用打下基础。

中文关键词： 立方相GaN；自旋电子学；自旋动力学；谷电子学；电子g因子

英文摘要：

英文关键词： cubic GaN；spintronics；spin dynamics；valleytronics；electron g factor