窄禁带石墨烯中量子点相干电子输运的理论研究

项目名称： 窄禁带石墨烯中量子点相干电子输运的理论研究

项目编号： No.10904040

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 杨谋

作者单位： 华南师范大学

项目金额： 23万元

中文摘要： 近几年来，石墨烯（单层石墨）受到了学术界的普遍关注。石墨烯极好的机械性能，热学性能，优良电学性质和新奇的量子特性使之成为了材料，器件和物理等不同领域的研究者们竞相研究的对象。在石墨烯费米面附近，电子的能谱是线性的，并由此带来了一系列有趣的物理性质。但是寻常条件下石墨烯没有能隙，这是石墨烯应用化的障碍之一。近来已有实验手段能产生一个小的能隙，使石墨烯变成窄禁带半导体。由于禁带的存在，这种石墨烯中可以通过加限制电压来形成量子点。窄禁带石墨烯中价带顶和导带底附近的电子既不能看成是狄拉克粒子，也和普通半导体中的载流子有所差别，这必然会对量子点的性质产生重要影响。本项目计划研究窄禁带石墨烯中量子点相干电子输运的基本物理规律。该研究不仅有重要的科学意义，也对的石墨烯的应用化有一定的促进作用。

中文关键词： 石墨烯；量子点；量子态；电子输运；

英文摘要：

英文关键词： graphene；quantum dot；quantum state；electronic transport；