局域氧空位分布及其对阻变存储器细丝导通机制的影响研究

项目名称： 局域氧空位分布及其对阻变存储器细丝导通机制的影响研究

项目编号： No.11374182

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 蒋然

作者单位： 山东大学

项目金额： 80万元

中文摘要： 阻变存储器通过高、低阻态之间的可逆转换来得到"1"和"0"二进制状态，其简单高效和非挥发性的存储优点极具商业前景。但是，RRAM阻变机制尚不清楚一直是限制其应用的瓶颈。本项目基于新的研究思路，即氧空位局域聚簇的非均匀分布，针对性地进行电学和结构参量的分析表征，结合内建梯度电场的理论研究氧空位局域分布影响下的细丝阻变通道的形成原因、位置和作用机理。

中文关键词： 存储器；氧化铪；高k；电荷俘获；铁电

英文摘要： Resistive random access memory (RRAM) gets "1" and "0" states through the reversible conversion between high and low resistance state, which possesses promising commercial prospects during its simple, effective and non-volatile characteristics. However, t

英文关键词： memory；hafnium oxide；high k；charge trapping；ferroelectric