具有正和负曲率表面半导体纳米结构带隙的唯象理论研究

项目名称： 具有正和负曲率表面半导体纳米结构带隙的唯象理论研究

项目编号： No.10974260

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 杨国伟

作者单位： 中山大学

项目金额： 40万元

中文摘要： 近年来随着半导体纳米结构带隙的实验，理论和计算研究的深入，出现了一些新的，目前的理论模型无法解释的科学问题。所以，发展新的半导体纳米结构带隙理论模型，无论是从半导体纳米结构带隙的理论发展，还是从半导体纳米结构器件的设计与应用来看，都是非常需要的。我们拟在半导体带隙的晶体场理论框架下，考虑由于不同曲率条件引起的表面应变对于半导体纳米结构带隙的影响，研究应变引起的带隙变化与尺寸的依赖性，建立具有正和负曲率表面半导体纳米结构带隙的唯象理论；研究不同半导体（III-VI族和II-VI族）纳米结构所具有的不同的尺度依赖的有效质量，建立普适性的适用于III-V族和II-VI族半导体纳米结构"尺寸-带隙关系"的唯象理论；采用第一性原理计算作为计算机模拟试验来验证所发展的半导体纳米结构带隙的新唯象理论。

中文关键词： 半导体纳米结构；热力学理论；电子结构；；

英文摘要：

英文关键词： semiconductor nanostructures；thermodynamic theory；electronic structure；；