以应变SiGe层作为输运通道的横向PIN结构Ge量子点红外探测器研究

项目名称： 以应变SiGe层作为输运通道的横向PIN结构Ge量子点红外探测器研究

项目编号： No.61404030

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 魏榕山

作者单位： 福州大学

项目金额： 23万元

中文摘要： 本项目研究以应变SiGe层作为输运通道的横向PIN结构Ge量子点红外探测器。针对纵向结构Ge量子点探测器中光生载流子输运效率低的问题，采用横向PIN结构，并利用应变SiGe层作为光生载流子的横向输运通道，提高载流子输运效率，从而提高探测器的响应度。实验中，通过改变应变SiGe层的参数(应变SiGe层的Ge组分、厚度、应变SiGe层和量子点间的距离)，利用原子力显微镜(AFM)、透射电镜(TEM)等测试手段，研究Ge量子点在不同SiGe层作用下的生长规律。理论研究将以实验数据为基础，采用SILVACO公司的ATLAS 器件仿真软件，研究光生载流子在应变SiGe层中的输运机理。同时，还将采用双晶X射线衍射(DCXRD)、拉曼光谱(Raman)等手段表征在不同条件下热退火的Ge量子点材料的组分、应力等特性，研究探测器制作中的热退火工艺对Ge量子点材料特性的影响，得到优化的工艺参数。

中文关键词： Ge量子点；应变SiGe层；红外探测器；横向PIN；

英文摘要： Ge quantum dot infrared photodetectors with strained SiGe layer are studied. The poor vertical transportation efficiency of light-excited carriers is the main reason why the vertical quantum dot infrared photodetectors have low responsivity. To further im

英文关键词： Ge quantum dots；strained SiGe layer；infrared photodetectors；lateral PIN；