新型高k栅介质SrHfON薄膜的制备与物理特性研究

项目名称： 新型高k栅介质SrHfON薄膜的制备与物理特性研究

项目编号： No.50902110

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 冯丽萍

作者单位： 西北工业大学

项目金额： 21万元

中文摘要： 本项目针对目前高k栅介质材料研究中所面临的基础科学问题，提出并开发一种新型高k栅介质SrHfON薄膜，旨在不降低SrHfO3薄膜介电常数的同时能够有效地改善SrHfO3薄膜的热稳定性，探索影响SrHfON栅介质薄膜物理特性的相关物理机理。本项目利用射频磁控溅射方法制备SrHfON薄膜，通过调节射频磁控溅射的主要工艺参数以及恰当的后处理技术，来适当改变SrHfON薄膜的成分和成膜质量，通过系统地研究SrHfON薄膜的成分与结构和性能的相互关系，探索制备和优化SrHfON薄膜的途径，阐明SrHfON薄膜和栅极以及硅衬底之间的界面作用规律，揭示载流子迁移率的变化规律及其影响机理，发展和深化与高k栅介质薄膜物理特性相关的基础理论问题，为高k栅介质材料的实际应用奠定重要的材料科学基础。

中文关键词： SrHfON；高介电常数栅介质；磁控溅射；第一性原理；

英文摘要：

英文关键词： SrHfON；high k gate dielectric；magnetron sputtering；first-principles；