III-V族半导体自旋电子器件相关材料的磁化与自旋弛豫超快动力学研究

项目名称： III-V族半导体自旋电子器件相关材料的磁化与自旋弛豫超快动力学研究

项目编号： No.10974195

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 张新惠

作者单位： 中国科学院半导体研究所

项目金额： 43万元

中文摘要： 自旋极化的产生、注入、输运、操作、和探测是半导体自旋电子学中最核心的物理过程。 采用各种磁、光、电手段对稀磁半导体和铁磁体与非磁性半导体构成的异质结构中自旋的产生、弛豫和自旋退相干效应的研究近年来受到国内外广泛的关注。本项目将利用时间分辨磁光克尔旋转技术为主要研究手段, 对III-V族稀磁半导体以及铁磁铁/半导体异质结构中载流子自旋相干弛豫和磁化动力学过程以及其中的物理机制进行深入的研究。主要研究内容有：1）对生长在GaAs衬底上以(Ga,Mn)As为代表的稀磁半导体材料中光注入自旋载流子,自旋和磁化的超快动力学过程以及其中的物理机理进行研究。2）对自旋注入器件所应用的铁磁体/半导体异质结构, 例如Fe/GaAs, MnAs/GaAs 结构中电子以及自旋的输运和退相干过程进行研究, 从而对进一步提高铁磁体/半导体异质结中自旋的注入效率与探测提供基础物理上的理解与指导。

中文关键词： 自旋电子学；稀磁半导体；自旋弛豫与退相干；飞秒时间分辨克尔旋转超快光学技术；

英文摘要：

英文关键词： Spintronics；Dilute semiconductors；Spin relaxation and dephasing；Femtosecond time-resolved Kerr；