基于导电机理的钛氧化物忆阻器电路特性建模研究

项目名称： 基于导电机理的钛氧化物忆阻器电路特性建模研究

项目编号： No.61171017

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 电子学与信息系统

项目作者： 徐晖

作者单位： 中国人民解放军国防科学技术大学

项目金额： 63万元

中文摘要： 忆阻器的出现将可能从根本上改变传统电路的格局，但作为应用基础的忆阻器特性及建模研究还不完善。本项目围绕钛氧化物忆阻器进行研究。首先，通过对忆阻器物理实现的导电机理进行研究，分析其电路特性。然后，力图精确描述影响忆阻器电路特性的各关键物理因素及其相互作用，对其进行数学建模，在此基础上提出一种钛氧化物忆阻器数学模型。最后，基于忆阻器数学模型，采用非线性电路理论分析方法，研究构建基于忆阻器的典型的非线性电路，并分析其特性。本项目将在忆阻器建模方面取得新的理论突破，为进一步开展基于忆阻器的非线性电路研究打下基础。

中文关键词： 忆阻器；钛氧化物；导电机理；肖特基势垒；杂质漂移

英文摘要：

英文关键词： Memristor；Titanium oxide；Conductive mechanism；Schottky barrier；Dopant drift