CMOS兼容的电容式气压传感器的设计与工艺研究

项目名称： CMOS兼容的电容式气压传感器的设计与工艺研究

项目编号： No.60901009

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 聂萌

作者单位： 东南大学

项目金额： 22万元

中文摘要： 气压传感器是气象参数检测的主要器件之一。由于微机电系统(MEMS)技术的进步，基于MEMS的气压计是近年该领域的主要方向之一。本项目将基于标准CMOS工艺，创新性地利用CMOS集成电路工艺中的N阱作为电容式压力传感器下电极、CMOS工艺中金属引线层作为上电极，从而使上下极板的引线容易实现。通过工艺设计、结构设计和气压传感器的应用基础研究，设计出CMOS工艺兼容的气压传感器；对CMOS正面氧化层释放腐蚀、CMOS结构N阱的PN结自停止腐蚀和带有CMOS芯片封闭腔的静电键合工艺进行研究，研制出主要性能符合要求的气压传感器原理样品。 本项目的研究结果，将有助于利用标准CMOS工艺，有利于气压传感器与处理电路的单片集成，降低气压传感器的成本。

中文关键词： 气压传感器；MEMS；CMOS工艺；静电键合；单片集成

英文摘要：

英文关键词： barometric pressure sensor；MEMS；CMOS process；anodic bonding；monolithic integration