硅基3D纳米约束型器件的制造方法研究

项目名称： 硅基3D纳米约束型器件的制造方法研究

项目编号： No.90923028

项目类型： 专项基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 于晓梅

作者单位： 北京大学

项目金额： 50万元

中文摘要： 硅是储存约束自旋态原子的一种非常稳定的材料，这种材料为利用电子和原子核中的自旋效应进行信息处理提供了一条非常有效的途径。为了实现硅中单电子自旋的操纵与探测，项目提出开展"硅基3D纳米约束型器件的制造方法研究"，通过研究硅纳米线的混合加工方法、平面约束型纳米器件的制造方法、纳隙电极的制造方法和跨微纳尺度的集成加工等方法，解决当器件尺寸减小到纳米量级时，诱导效应和尺寸效应对器件性能的影响、结构纳米级线宽的精确控制、跨尺度加工的工艺兼容性等基础物理学和关键工艺问题，制备一系列3D约束型纳米器件。最后通过电子检测磁共振技术研究硅中电子的自旋效应，验证器件的设计结构和制造方法的可行性。该研究一方面为硅基纳米电子学研究提供了坚实的技术基础，更重要的是为纳米制造技术开发了多种适用性广、成本低、简单的3D纳米结构制造新方法，该研究融合了纳米制造和纳米电子学技术，将为这两项技术的发展起到重要推动作用。

中文关键词： 纳米约束；硅纳米线；跨微纳尺度；纳米间隙电极；MOSFET

英文摘要：

英文关键词： nano-confined；silicon nano-wire；trans-dimension；nano-gap electrode；MOSFET