MOCVD异质外延GaN过程中横向生长效应的研究

项目名称： MOCVD异质外延GaN过程中横向生长效应的研究

项目编号： No.11204009

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 高志远

作者单位： 北京工业大学

项目金额： 25万元

中文摘要： 本项目针对金属有机物化学气相沉积（MOCVD）的异质外延，研究GaN的横向生长行为与材料固有属性之间的关系，探寻其背后特有的动力学规律，确定横向生长所决定的GaN的微结构特性，以及此微结构所对应的材料光、电性质。本项目通过理论与实验相结合，对比a面、m面和c面GaN横向生长效应的差异，研究表面能在其中的作用；对比N极性面和Ga极性面GaN横向生长效应的差异，研究极性在其中的作用；通过斜切衬底上GaN的生长，研究横向生长中位错的弯曲和相互作用湮灭机制；通过研究GaN纳米线的横向生长效应，探讨不同的质量输运机制在晶体横向生长中的作用。本项目将横向生长效应从晶体生长条件的研究中独立出来，作为一条描述材料生长行为及其影响的基本机制，进行专门针对性的研究，为GaN生长和物性的研究提供了新思路，以期更好的控制并利用这一极性宽禁带半导体材料。

中文关键词： GaN；横向生长；非平衡；位错；表面坑

英文摘要： The purpose of the project is to study the lateral growth effect of GaN epitaxially grown by metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD), i.e. to investigate how the lateral growth behavior is determined by the intrinsic properties of GaN, and affected

英文关键词： GaN；lateral growth；non-equilibration；dislocation；surface pits