AlGaN/GaN异质结场效应晶体管中与AlGaN势垒层应变分布相关的载流子散射机制研究

项目名称： AlGaN/GaN异质结场效应晶体管中与AlGaN势垒层应变分布相关的载流子散射机制研究

项目编号： No.11174182

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 物理学I

项目作者： 林兆军

作者单位： 山东大学

项目金额： 68万元

中文摘要： AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（AlGaN/GaN HFETs）作为能工作在毫米波波段大功率固态电子器件最具潜力的候选者，近些年来一直是微电子领域研究热点而备受关注。载流子散射与AlGaN/GaN HFETs器件的频率和功率性能关系密切，我们提出了与AlGaN势垒层应变分布相关的极化梯度库仑场散射和应变形变势散射是AlGaN/GaN HFETs器件中载流子重要的散射机制。作为新提出的载流子散射机制，迫切需要对其进行全面深入的研究。本项目拟在通过研究不同源、漏和栅金属结构作用AlGaN势垒层所引起应变分布变化，确立应变极化梯度库仑场势函数和应变形变势函数形式，建立应变极化梯度库仑场散射和应变形变势散射的理论模型，确立应变极化梯度库仑场散射和应变形变势散射迁移率的解析表达式；以此为基础，优化材料和器件结构，提高AlGaN/GaN HFETs器件的频率和功率特性。

中文关键词： GaN基异质结场效应晶体管；势垒层应变；极化库仑场散射；二维电子气；载流子迁移率

英文摘要：

英文关键词： GaN based HFETs；barreir layer strain；Polariation Coulomb field scattering；two-dimensional electron gas；carrier mobility