应用Parellel PIC/MC方法预测超低发射度同步辐射光源中束流发射度增长

项目名称： 应用Parellel PIC/MC方法预测超低发射度同步辐射光源中束流发射度增长

项目编号： No.10979045

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 轻工业、手工业

项目作者： 王琳

作者单位： 中国科学技术大学

项目金额： 28万元

中文摘要： 实现超低发射度是提高同步辐射光源亮度和改善横向相干性的关键。电子储存环中一些因素会导致束流品质恶化，从而影响光源表现。超低发射度下，束内散射效应、束流气体间散射和束流离子作用将导致严重的束流发射度增长及寿命降低。近年来加速器领域发展了很多解析或半解析的方法估计上述效应的影响，如MAD程序应用B-M公式、ELEGANT程序应用PIWINSKI公式、SAD程序基于B-M公式改进算法讨论束内散射效应和PIC方法研究离子效应等。但更准确地计算上述效应的影响对于合理确定未来先进光源设计方案很必要。PIC/MC数值算法同时拥有Particle-In-Cell算法研究束流集体作用和Monte-Carlo方法研究随机过程的优势，在加速器领域引入该方法能够更准确地预测束流表现。并行计算技术的飞速发展提供了应用PIC/MC方法必需的强大计算能力。本项目将应用并行PIC/MC方法研究上述效应对束流品质的影响。

中文关键词： 电子储存环；束内散射效应；发射度增长；PIC/MC；并行计算

英文摘要：

英文关键词： Electron storage ring；Intra Beam Scattering effect；emittance growth；PIC/MC；Parallel computing