AlGaN基紫外激光二极管研究

项目名称： AlGaN基紫外激光二极管研究

项目编号： No.61376047

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 闫建昌

作者单位： 中国科学院半导体研究所

项目金额： 86万元

中文摘要： AlGaN基紫外激光二极管（UVLD）在光存储、生化科技、医疗杀菌、光刻等诸多领域具有广阔的应用前景，成为目前国际研究的前沿热点。本项目重点针对UVLD的核心AlGaN材料的外延生长难题开展研究，通过外延生长动力学的探索和外延工艺的优化，突破高质量高Al组分氮化物材料的MOCVD外延技术，进而开展AlGaN的p型掺杂研究，通过量子阱载流子输运和复合机制的研究指导高效量子结构设计，开展UVLD关键芯片工艺研究；通过深入理解相关的物理过程和机制，指导材料和工艺的优化提升，最终研制出UVLD器件，实现激射发光波长<350nm。通过本项目的开展可以弥补国内短波长UVLD器件研制领域的空白，获得自主知识产权，占领未来市场先机。

中文关键词： 激光二极管；紫外；氮化铝镓；金属有机化合物化学气相沉积；氮化铝

英文摘要： AlGaN-based ultraviolet laser diode (UVLD) has recently been a hotspot of the research front over the world for a number of applications such as high-density data storage, chemical/biochemical analysis, medical sterilization and disinfection, photolithogr

英文关键词： laser diode；ultraviolet；AlGaN；MOCVD；AlN