项目名称: 用于高温压力传感器的AlGaN/GaN二维电子气换能特性研究
项目编号: No.61372059
项目类型: 面上项目
立项/批准年度: 2013
项目学科: 无线电电子学、电信技术
项目作者: 季安
作者单位: 中国科学院半导体研究所
项目金额: 84万元
中文摘要: 高温压力传感器在航空航天、石油化工、金属冶炼等高温恶劣环境下有广泛的应用。但是,AlGaN/GaN二维电子气作为力敏单元在不同温度下随压力变化所反映出来的物理特性,以及不同Al组分的二维电子随温度和压力变化规律等基本物理性质尚未系统研究。本项目着重研究AlGaN/GaN异质结材料体系中二维电子气在温度和压力的双重作用下所表现出来的物理特性;以及二维电子气欧姆接触的高温特性。明确在不同温度下二维电子气的形状、尺寸、电学读出电路、表面钝化层与压力响应灵敏度GF的关系。研究微纳工艺和集成封装对器件稳定性和灵敏度的影响,加工高温AlGaN/GaN压力传感器原型器件,在0~10 MPa,从室温至350℃,掌握二维电子气换能规律。本项目的实施将阐明在材料优化、结构设计、器件加工、集成封装及性能测试等方面的关键问题,为新型高温压力传感器开发奠定基础。
中文关键词: 高温MEMS;压力传感器;换能特性;二维电子气;AlGaN/GaN异质结
英文摘要: High-temperature MEMS pressure sensor exhibited extensive applications in harsh environment, such as aeronautics and astronautics, petrochemical industry, metallurgical industry, and so on. However, the physical characteristics from pressure-sensitive ele
英文关键词: High temperature MEMS;Pressure sensor;Transducing property;2D electron gas;AlGaN/GaN heterojunction