SOI高压器件场控体电场降低REBULF理论与新结构

项目名称： SOI高压器件场控体电场降低REBULF理论与新结构

项目编号： No.60906038

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 乔明

作者单位： 电子科技大学

项目金额： 22万元

中文摘要： 在功率微电子领域，提出SOI高压器件的体内场优化理论-体电场降低 (REduced BUlk Field，REBULF)理论，对其基础理论和技术进行创新性研究，提供解决关键问题的科学方法。研究有两项创新：1. 提出SOI高压器件的体电场降低 REBULF理论，突破传统SOI横向器件纵向耐压的理论极限。基于SOI的背栅场控效应，使得SOI器件体内场重新分配，降低SOI横向高压器件体内漏端电场，提高体内源端电场，从而实现器件体场分布的最优化；2. REBULF高压器件集成技术。它包含工艺、版图、器件物理模型和电路级宏模型等多层次模型，REBULF高压器件的隔离技术、兼容技术和高压互连技术。利用此基础技术，进行3D REBULF等新结构超高压SOI器件的研究，为1000V级SOI高压集成电路的实现奠定基础。本研究系与国际水平同步的应用基础性和超前性研究，意义重大。

中文关键词： 体内场优化；体电场降低；REBULF；背栅效应；SOI

英文摘要：

英文关键词： bulk field optimization；reduced bulk field；REBULF；back-gate effect；SOI