基于硫系合金薄膜的激光直写超分辨纳米图形与信息存储

项目名称： 基于硫系合金薄膜的激光直写超分辨纳米图形与信息存储

项目编号： No.60977004

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 魏劲松

作者单位： 中国科学院上海光学精密机械研究所

项目金额： 41万元

中文摘要： 依据于大规模集成电路的随机存储器和半导体存储器及常用的光存储器件其存储密度实际上取决于现在的激光刻蚀技术，激光刻蚀过程本质上是激光光刻形成图形。为了实现更高密度信息存储，要求信息存储器件中图形的分辨率（即最小信息位或线宽）达到纳米量级。本项目从电磁波传播的麦克斯韦方程着手从理论上来求解高斯光束在非线性薄膜结构中的传播特性及透射率、反射率和吸收率的空间分布特性，得出一套较完整的理论计算公式和体系，利用该理论计体系和硫系合金薄膜强的光学非线性及较低的晶态熔化态转变温度特性、设计基于硫系合金薄膜的非线性膜层结构。利用该结构在高斯激光作用下自聚焦和内部多光束干涉获得超分辨纳米能量吸收斑来实现纳米图形的激光直写，最小图形尺寸达到60-80nm（光斑尺寸的1/5-1/10左右），将该图形制备成光存储器件的母盘，使其初步应用于纳米信息存储。从而为今后纳米信息存储器件的设计和制备提供一种新的思路和手段。

中文关键词： Te基薄膜；光学非线性；超分辨；纳米光刻；纳米数据存储

英文摘要：

英文关键词： Te-based thn films；optical nonlinearity；super-resolution；nanolithography；nano-data storage