位移辐射深能级缺陷诱导双极晶体管性能退化机理研究

项目名称： 位移辐射深能级缺陷诱导双极晶体管性能退化机理研究

项目编号： No.61404038

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 刘超铭

作者单位： 哈尔滨工业大学

项目金额： 25万元

中文摘要： 双极晶体管是空间辐射环境中广泛应用的关键电子器件，对位移辐射损伤较为敏感。位移辐射损伤会在晶体管内部产生深能级缺陷，导致性能退化。目前国内外进行的深能级缺陷研究主要针对硅材料，而针对器件内的缺陷行为研究较少。与硅材料相比，双极晶体管具有不同掺杂浓度的特殊器件结构。在不同区域内深能级缺陷对晶体管性能退化的影响机制尚待研究。并且，深能级缺陷的状态可随着电场强度及温度等因素动态演化，这也增加了深能级缺陷诱导双极晶体管性能退化机理的研究难度。迄今，国际上对于深能级缺陷诱导性能退化的作用机制研究尚处于起步阶段，难以建立有效的物理模型。为此，本项目将通过不同类型重离子辐照试验，研究双极晶体管位移辐射电性能退化及深能级缺陷演化规律研究，揭示深能级缺陷诱导电性能退化的微观机制，建立深能级缺陷诱导性能退化物理模型。本项目的研究成果对双极晶体管抗辐照能力优化和在轨性能退化预测都具有重要的工程意义和学术价值。

中文关键词： 双极晶体管；位移辐射损伤；深能级缺陷；；

英文摘要： Bipolar junction transistors (BJTs) have important applications in which they may be exposed to radiation environments, and are sensitive to displacement radiation damage. Displacement damage can induce the deep level defects in BJT, and make the degradat

英文关键词： bipolar junction transistor；displacement damage；deep level defect；；