用于提高LED出光效率光子晶体的新型制作方法

项目名称： 用于提高LED出光效率光子晶体的新型制作方法

项目编号： No.10904103

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 方宗豹

作者单位： 苏州大学

项目金额： 22万元

中文摘要： 发光二极管(Light emitting diode , LED) 是一种新型的低功耗、长寿命固态光源，但因其结构特点不仅导致出光效率低，也使LED寿命缩短，因而限制了在背光照明、显示、普通照明等领域的应用范围。在LED各层制作光子晶体是一种提高LED出光效率的方案，但电子束、离子束、全息法、纳米压印法等技术手段虽可制作光子晶体，但效率低、成本昂贵、无法实现大尺寸制作等缺点，导致了光子晶体LED无法实现规模化生产。III-V族是高效LED的衬底外延材料，本项目提出了在GaN基LED各层（p-GaN, n-GaN, ITO）制作光子晶体的新方法- - 数控激光干涉刻蚀方法，通过实验研究和理论分析，探索GaN基LED各层制作深亚微米尺度光子晶体的工艺参数与提高LED发光效率的关系，建立快速、高效率光子晶体制作方法，期望为高效率LED提供一种有效的制造方法。

中文关键词： 发光二极管；光子晶体；干涉刻蚀；；

英文摘要：

英文关键词： light emitting diode；photonic crystal；inference etching；；