考虑硅通孔热应力的静态时序分析

项目名称： 考虑硅通孔热应力的静态时序分析

项目编号： No.61574106

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2016

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 董刚

作者单位： 西安电子科技大学

项目金额： 16万元

中文摘要： 本项目研究考虑硅通孔热应力的三维集成电路静态时序分析方法。从准3D Kane-Mindlin理论出发构建TSV热机械应力模型，利用修正因子来控制平均相对误差。采用线性叠加的方法来描述多TSV共同作用时的应力，并与有限元分析结果对比验证。

中文关键词： 三维集成电路；硅通孔；热应力；；

英文摘要： Static timing analysis with TSV thermo-mechanical stress in 3D IC is researched in this project. Firstly，based on quasi 3D Kane-Mindlin equation, TSV thermo-mechanical stress model is derived by using correction factor to control the averaged error. For multiple TSVs influence, the linear superposition method is applied to evaluate the stress. The Proposed single or multiple TSVs stress model is validated by comparing with Finite Element Analysis.

英文关键词： 3D IC；TSV；Thremal stress；；