宽禁带半导体器件噪声机理与噪声模型研究

项目名称： 宽禁带半导体器件噪声机理与噪声模型研究

项目编号： No.60876052

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2009

项目学科： 电工技术

项目作者： 徐锐敏

作者单位： 电子科技大学

项目金额： 32万元

中文摘要： 针对宽禁带半导体异质的噪声机理与噪声模型的研究现状，本项目组在GaN HEMT 噪声机理与模型的基础上。研究了GaN HEMT器件的噪声源，不同栅宽和不同偏压下的GaN HEMTs噪声特性，GaN HEMTs器件结构对器件噪声特性的影响等。在三年的研究期内按照计划方案顺利进行，完成了AlGaN/GaN异质结构2DEG的模拟，提出了源极寄生阻抗模型，并分析了该模型对GaN HEMT高频噪声影响。初步建立了AlGaN/GaN HEMTs的噪声特性的SVR模型和等效电路模型。提出了一种基于InGaN的新型GaN HEMT器件结构，并进行了特性仿真。与55所合作，完成了GaN HEMT 的设计，加工，测试，并利用建立的等效电路模型设计了低噪声放大器模块，完成了对模型的验证。发表与本项目相关的学术论文24篇。

中文关键词： GaN HEMT;噪声机理; 支持向量机; 噪声模型

英文摘要： For wide band gap semiconductor heterostructures of noise and noise model of the mechanism of the status quo, the project team in the mechanism of GaN HEMT noise model based on the. Studied the GaN HEMT device noise sources, different width and different gate bias of the noise characteristics of GaN HEMTs, GaN HEMTs device structure of the device noise characteristics, etc. Three-year study period in the program carried out smoothly according to plan, completed the AlGaN / GaN heterostructure 2DEG simulation, proposed source parasitic impedance model, and an analysis of the model for GaN HEMT high-frequency noise. The initial establishment of the AlGaN / GaN HEMTs noise characteristics of the SVR model and equivalent circuit model. Proposed a new type of InGaN-based GaN HEMT device structure, and properties for the simulation. With the China Electronics Technology Group 55, completed the design of GaN HEMT, processing, testing, and use established equivalent circuit model. Designed a low noise amplifier module, completed validation of the model. Published 24 papers related to this project.

英文关键词： GaN HEMT; Noise Mechanism; Support Vector Machine; Noise model;