硅通孔结构中界面滑移行为的实验研究

项目名称： 硅通孔结构中界面滑移行为的实验研究

项目编号： No.11372024

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 苏飞

作者单位： 北京航空航天大学

项目金额： 92万元

中文摘要： 本项目针对三维电子封装的核心器件 - 硅通孔（TSV）的界面滑移行为展开研究，主要内容有：（1）不同热载荷及电迁移作用下TSV界面滑移的规律，包括铜填充内缩、外凸与界面开裂的发生条件以及界面滑移速率的测量 ；（2）TSV界面滑移的微观机制。通过对界面处微观结构的透射电镜观察、扫描电镜结合数字图像相关法对TSV界面滑移及界面两侧变形场的原位观测与测量、纳米压痕法对界面材料蠕变性能的测试以及声发射法对滑移过程中的位错运动的监测等实验手段，探索TSV界面滑移的微观机制；（3）根据TSV界面滑移机制和一系列实验数据，探索TSV界面滑移行为的表征方法，建立相应的数学物理模型。 本项目的研究有助于三维电子封装制作工艺参数的优化和可靠性的改善，也有助于界面力学的理论体系和微尺度实验力学技术的进一步发展。

中文关键词： 硅通孔；界面滑移；微观机制；理论模型；界面力学

英文摘要： This project aims to investigate the interfacial sliding problem in through silicon via (TSV),which is the core component of three dimensional IC packaging.The main contents of the project include the following items: (1)The behavior of TSV interfacial sl

英文关键词： Through-Silicon-Vias；Interfacial Slipping；microscopic mechanism；theoretical model；interfaciace mechanics