Ga2O3薄膜的外延生长、高迁移率调控及相关机理研究

项目名称： Ga2O3薄膜的外延生长、高迁移率调控及相关机理研究

项目编号： No.11404029

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 吴真平

作者单位： 北京邮电大学

项目金额： 25万元

中文摘要： Ga2O3是一种透明导电氧化物材料，在深紫外光电子，高频、高功率器件等领域有着广阔的应用前景，但非晶或多晶薄膜中存在的杂质、晶界和空位等结构缺陷导致载流子迁移率过低，从而制约了它的实际应用。已知的Ga2O3共有5种同分异构体，其中β-Ga2O3的结构最为稳定，且载流子的迁移率具有各向异性。本项目拟以β-Ga2O3薄膜界面微结构和迁移率调控作为研究目标，主要研究内容包括以下三个部分：1、激光分子束外延法制备高质量β-Ga2O3外延薄膜，研究工艺参数对薄膜生长的影响规律；2、选择不同晶格失配度的体系，研究界面微结构对外延取向，晶格应变和迁移率的调控规律；3、利用第一性原理，研究β-Ga2O3的物理性能，并结合实验结果，系统分析界面微结构影响迁移率大小的物理机制，并为研发高迁移率的Ga2O3器件应用提供理论与技术基础。

中文关键词： 晶体结构；氧化物半导体；载流子迁移率；掺杂；氧化镓

英文摘要： Ga2O3 belongs to transparent conducting oxide materials. It has extensive application prospect in ultraviolet-photoelectronic and high frequency, high power electronic devices, etc. However, the impurities, grain boundary, and vacancies in thin films will

英文关键词： Crystal Structure；Oxide Semiconductor；Carrier Mobility；Doping；Ga2O3