一维高迁移率、Si掺杂的In2O3(ZnO)m透明纳米电极材料的研究

项目名称： 一维高迁移率、Si掺杂的In2O3(ZnO)m透明纳米电极材料的研究

项目编号： No.61154001

项目类型： 专项基金项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 武立立

作者单位： 哈尔滨师范大学

项目金额： 15万元

中文摘要： 本课题拟采用简单的化学气相沉积法，制备Si掺杂的In2O3(ZnO)m（SIZO）一维透明的纳米电极材料；通过改变前驱物中Si的含量，调控In2O3(ZnO)m（IZO）纳米带（线）中Si的掺杂浓度；研究Si的掺杂浓度、超晶格取向和材料组分（或m值）对材料的透光率的影响；研究电子在单根纳米结构中的输运性质与微结构、超晶格取向和组分的相关性。最终获得具有高迁移率、高电导率和高可见透光率的新型一维IZO导电氧化物纳米电极材料，阐述其微结构与导电微观机制的物理相关性。采用Si作为掺杂剂，IV族Si元素替代Zn形成提供两个自由电子的施主，相对提供单个自由电子的III族元素掺杂剂，有利于减少结构缺陷和提高迁移率，进而提高材料的电导率。本课题对获得具有高性能的一维IZO透明电极材料，早日实现新一代透明电路的小型化和高度集成化具有重要意义。

中文关键词： Si掺杂；In2O3(ZnO)m；第一性原理；态密度；

英文摘要：

英文关键词： Si-doped；In2O3(ZnO)m；First Principles；Density of state；