用于修正三维厚模效应的逆向光掩模综合方法

项目名称： 用于修正三维厚模效应的逆向光掩模综合方法

项目编号： No.61404162

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 熊伟

作者单位： 中国科学院微电子研究所

项目金额： 22万元

中文摘要： 光刻技术是集成电路制造工艺的关键和核心技术之一，它直接影响着集成电路的可制造性和成品率。随着集成电路发展到32nm及以下节点，光掩模上的图形尺寸已经接近或者小于光源波长。此时，光掩模本身的厚度，光掩模图形的形状、位置都会影响最终成像图形的保真度，造成失真，即所谓的三维厚模效应。在此项目中我们将开发一种逆向光掩模综合方法，此方法一方面基于CIP方法求解三维麦克斯韦方程组，实现包含三维厚模效应的光刻仿真建模，另一方面采用目标驱动模拟退火算法对光掩模图形进行优化，从而修正三维厚模效应，提高光刻图形保真度。

中文关键词： 光掩模；三维厚模效应；电磁场散射；CIP；目标驱动模拟退火算法

英文摘要： Lithography is one of the important and key technologies in the IC manufacturing, and it directly affects the IC manufacturability and yield. For the IC industry moving to 32nm node and below, the pattern dimension on the photomask is closer to or even sm

英文关键词： photomask；3D thick-mask effect；EM scattering；constrained interpolation profile；object-based simulated annealing algorithm